ترانزستور التأثير الميداني ثنائي الاتجاه عالي الجهد من كربيد السيليكون (SiC) ذو الهيكل الجانبي

9/20/2026

1 VIEWS

ابتكار جديد في تقنية كربيد السيليكون يتيح ترانزستور عالي الجهد يعمل في كلا الاتجاهين بتصميم جانبي لتحسين كفاءة الطاقة.