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내방사선 게이트 드라이버, GaN 채택 가속화
7/19/2026
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방사선 경화 기술이 적용된 게이트 드라이버 출시로 극한 환경에서도 전력 효율이 높은 질화갈륨(GaN) 반도체 사용이 가능해졌습니다.
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